패터닝 디바이스 결함 검출 시스템들 및 방법들

• Main Authors: VAN LARE MARIE CLAIRE, WIELAND MARCO JAN JACO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.05.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; TESTING

마스크 체크 웨이퍼는 생산 웨이퍼와 상이한 공정을 활용할 수 있으므로, 스캐너의 생산성 감소를 초래하는 더 낮은 퓨필 충전율(PFR)로의 고-콘트라스트 조명 설정이 활용될 수 있다. 생산 웨이퍼에 사용되는 것과 상이한 고-콘트라스트 조명 설정을 선택함으로써, 확률적 결함들에 대한 입자 프린트가능성의 개선된 비가 달성될 수 있다. 조합하여 또는 대신에, 더 높은 도즈 레지스트가 활용될 수 있다. 이는 웨이퍼의 더 긴 노광을 허용하여, 광자 산탄 잡음의 영향이 감소되어 확률적 결함들에 대한 입자 프린트가능성의 개선된 비를 유도하도록 한다. 결과로서, 과도한 양의 확률적 결함들로 이어지지 않고도 입자 프린트가능성이 더 향상될 수 있다. 이로 인해, 하전 입자 검사 및 분석의 사이트 수 및 이에 따른 스루풋이 크게 개선될 수 있다. Since a mask check wafer can utilize a different process than a production wafer, a high-contrast illumination setting with lower pupil fill ratio (PFR) that leads to a reduction of the productivity of the scanner can be utilized. By selecting a high-contrast illumination setting, which is different than that used on a production wafer, an improved ratio of particle printability to stochastic defects can be achieved. In combination, or instead higher dose resist can be utilized. This allows longer exposure of the wafer, such that the impact of photon shot noise is reduced, also resulting in an improved ratio of particle printability to stochastic defects. As a result, the particle printability can be enhanced further without leading to an excessive amount of stochastic defects. Because of this, the number of sites, and therefore the throughput, of a charged particle inspection and analysis can be significantly improved.