Image sensor and method of fabricating the same

• Main Authors: KIM JINGYUN, BAE BYEONGTAEK, KIM KOOK TAE, YOO SEUNGHWI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 제 1 면과 이에 반대되는 제 2 면을 가지는 기판; 및 상기 기판 내에 배치되고 화소들을 서로 분리시키는 화소 분리부를 포함하되, 상기 화소들은 시계방향을 따라 배치되는 제1 내지 제4 화소들을 포함하고, 상기 화소 분리부는: 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 사이에 개재되는 제1 부분, 그리고 상기 제1 화소와 상기 제3 화소 사이에 개재되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 각각: 상기 기판의 측면을 덮는 제1 절연 패턴; 및 상기 제1 절연막의 측면을 덮는 제1 실리콘 패턴을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제1 실리콘 패턴의 측벽에 인접하는 제2 실리콘 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 실리콘 패턴은 평면적으로 마름모 형태를 가진다. An image sensor includes a substrate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a pixel separation part in the substrate, the pixel separation part separating a plurality of pixels from each other, the plurality of pixels including first to fourth pixels in a clockwise direction, the pixel separation part including a first part between the first and second pixels, and a second part between the first pixel and the third pixel. Each of the first part and the second part includes a first dielectric pattern covering a lateral surface of the substrate, and a first silicon pattern covering a lateral surface of the first dielectric pattern. The second part further includes a second silicon pattern adjacent to a sidewall of the first silicon pattern. The second silicon pattern has a rhombic shape in a plan view.