Image sensor

본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 광전 변환부들을 포함하는 제1 기판 및 상기 제1 기판의 제1 면을 덮는 후면 절연층을 포함하는 제1 칩 및 상기 제1 칩과 접하며 상기 제1 칩을 구동하기 위한 회로들을 포함하는 제2 칩을 포함한다. 상기 후면 절연층은 상기 제1 기판의 상기 제1 면 상에 차례로 배치되는 고정 전하층, 굴절률 조절층, 및 캐핑층을 포함한다. 상기 굴절률 조절층은 제1 원소, 제2 원소 및 산소를 포함한다. 상기 제2 원소의 산화물의 전도 대역 최소값은 상기 제1 원소의 산화물의 전도 대역 최소값보다 크다....

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Main Authors HUR JAESUNG, JEON JONGMIN, JEON TAEKSOO, YOON KIJOONG, LIM HAJIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 08.05.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 광전 변환부들을 포함하는 제1 기판 및 상기 제1 기판의 제1 면을 덮는 후면 절연층을 포함하는 제1 칩 및 상기 제1 칩과 접하며 상기 제1 칩을 구동하기 위한 회로들을 포함하는 제2 칩을 포함한다. 상기 후면 절연층은 상기 제1 기판의 상기 제1 면 상에 차례로 배치되는 고정 전하층, 굴절률 조절층, 및 캐핑층을 포함한다. 상기 굴절률 조절층은 제1 원소, 제2 원소 및 산소를 포함한다. 상기 제2 원소의 산화물의 전도 대역 최소값은 상기 제1 원소의 산화물의 전도 대역 최소값보다 크다.
Bibliography:Application Number: KR20230006881