DSA에 사용하기 위한 스핀 코팅 방법을 통한 선택적 자기 조립 단층

• Main Authors: BOBADE SACHIN, BASKARAN DURAIRAJ
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 08.05.2024
• Subjects: ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS; ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; ORGANIC CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 하기 구조 (I)의 화합물에 관한 것이며, 여기서 A는 직접 원자가 결합 또는 2가 연결기인 X를 통해 부착되는 하기 구조 (Ia), (Ib), (Ic) 및 (Id)로부터 선택되는 코어 모이어티이고, m은 사슬 길이 n의 선형 알킬렌 모이어티의 수이고, 각각의 상기 선형 알킬렌 모이어티는 말단 B 반응성 모이어티를 갖고, 추가로 *는 각각의 구조에서의 상기 선형 알킬렌 모이어티의 가능한 부착점을 표시하며, B는 -OH, -CH=CH2, -O-(P=O)(OR)2, -O-(P=O)(OR)Rs, -N3 및 -SH로부터 선택되고, n은 8 내지 12의 범위이다. 본 발명은 또한 이러한 화합물을 포함하는 조성물 및 자기 조립 단층(SAM)을 형성하기 위한 이러한 조성물의 용도, 금속 기판으로부터 선택적으로 제거될 수 있는 중성 또는 유도 층으로서의 DSA 공정에서의 이들의 용도, 및 이러한 선택적 제거를 달성하기 위한 제거 용액에 관한 것이다. JPEGpct00065.jpg61107. The present invention relates to a compound of structure (I), wherein A is a core moiety which is selected from structure (Ia), (Ib), (Ic) and (Id), to which is attached through X, a direct valence bond or a divalent linking group, m number of linear alkylene moieties of chain length n where each said linear alkylene moiety has a terminal B reactive moiety, and further wherein * designates possible attachment point of said linear alkylene moieties in each structure, B is selected from -OH, -CH=CH2, -O-(P=O)(OR)2, -O- (P=O)(OR)Rs, -N3 and -SH, where n ranges from 8 to 12. The invention also pertains to composition comprising these compounds and the use these compositions to form self-assembled monolayers (SAM) the use of these in DSA processing as neutral or directing layers which can be removed selectively from metal substrates.and the remover solution to accomplish this selective removal.