제조 플랜트 및 제조 플랜트에서의 기기의 설치 방법

• Main Authors: TAKAYAMA MICHIO, AOKI KOICHIRO, MORIMUNE AYUMI, YAMAGUCHI SYUNJI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 03.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

소정 처리가 행해지는 처리실의 상태를, 에너지 소비량을 억제하면서 원하는 상태로 고정밀도로 제어하기 쉽게 되는 제조 플랜트 및 제조 플랜트에서의 기기의 설치 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 일 실시 형태에 따른 제조 플랜트(P1)는, 기체 도입구(5A)로 받아들인 기체가 공급되는 처리실(3)을 가지는 처리 장치(2)를 구비한 처리 시스템(1)과, 기체를 기체 공급구(11B)로부터 공급하는 기체 공급 장치(100)를 구비한 열매체 공급 시스템(10)과, 기체 도입구(5A)와 기체 공급구(11B)를 접속하는 덕트(30)를 구비한다. 그리고, 기체 공급구(11B)의 중심과 기체 도입구(5A)의 중심을 연결한 직선 L1이 연직 방향과 이루는 각도가, 0도 이상 45도 이하이다. The purpose of the present invention is to provide: a manufacturing plant that facilitates high-precision control of the state of a process chamber in which a prescribed process is performed, to a desired state, while suppressing energy consumption; and a method for installing an apparatus in a manufacturing plant.　A manufacturing plant P1 according to one embodiment of the present invention comprises: a processing system 1 that is provided with a processing device 2 having a process chamber 3 to which is supplied a gas received at a gas introduction port 5A; a heat transfer medium supply system 10 that is provided with a gas supply device 100 that supplies the gas from a gas supply port 11B; and a duct 30 that connects the gas introduction port 5A and the gas supply port 11B. The angle formed with respect to the vertical direction by a straight line L1 connecting the center of the gas supply port 11B and the center of the gas introduction port 5A is 0-45 degrees.