MEMORY CONTROLER OPERATING METHOD AND MEMORY DEVICE

• Main Authors: PARK RI HAE, KIM, DONG HWEE, LEE JAE WOOK, SHIN HOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.05.2024
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

실시예는, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 장치에 대한 것이다. 실시예에 따른 메모리 컨트롤러의 동작 방법은 호스트 인터페이스를 통하여 명령을 수신하는 단계; 및 상기 명령에 기초하여 NOT 동작의 수행이 필요하다고 판단되는 경우, 상기 명령에 의하여 지시되는 셀의 데이터를 센싱하는 단계; 상기 셀에 연결된 비트라인의 전압을 프리차지하는 단계-상기 비트라인의 프리차징에 의하여 상기 비트라인에 상기 셀의 데이터에 대응하는 제1 전압과 상기 셀의 데이터의 반전 데이터에 대응하는 제2 전압 사이의 기준 전압이 형성됨-; 상기 비트라인 및 비트라인바 간의 전압을 공유시키는 단계-상기 전압 공유에 의하여 상기 비트라인에 상기 제2 전압과 상기 기준 전압 사이의 제4 전압이 형성됨-; 상기 비트라인바의 전압을 프리차지하는 단계-상기 비트라인바의 프리차징에 의하여 상기 비트라인바에 상기 기준 전압이 형성됨-; 및 상기 비트라인에 형성된 상기 제4 전압과 상기 비트라인바에 형성된 상기 기준 전압에 기초하여, 상기 셀의 데이터의 반전 데이터를 센싱하는 단계를 포함할 수 있다. A memory device and an operating method of a memory controller are described in which the operating method includes determining that a NOT operation for data of a cell is to be performed by the memory device; forming, in a bit line connected to the cell, a reference voltage between a first voltage corresponding to the data and a second voltage corresponding to inversion data of the data; forming, in the bit line, a third voltage between the second voltage and the reference voltage by connecting the bit line and a bit line bar; forming the reference voltage in the bit line bar; and sensing the inversion data based on the third voltage formed in the bit line and the reference voltage formed in the bit line bar, wherein the inversion data comprises an output of the NOT operation for the data of the cell.