정전 클램핑을 사용한 리모트 플라즈마 증착

• Main Authors: STRENG BRADLEY TAYLOR, DURBIN AARON, WEI FENGYAN, MILLER AARON BLAKE, SRINIVASAN EASWAR, HENRI JON, GUPTA AWNISH, VAN SCHRAVENDIJK BART J, BAKER NOAH ELLIOT
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 02.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

정전 척을 갖는 리모트 플라즈마 프로세싱 장치는 원자 층 증착 또는 화학적 기상 증착에 의해 반도체 기판 상에 막을 증착할 수 있다. 리모트 플라즈마 프로세싱 장치는 리모트 플라즈마 소스 및 리모트 플라즈마 소스로부터 다운스트림의 반응 챔버를 포함할 수 있다. RF 전력 소스는 리모트 플라즈마 소스에 고 RF 전력을 인가하도록 구성될 수 있고 가열 엘리먼트들은 정전 척에 고온을 인가하도록 구성될 수 있다. 반도체 기판은 극성들의 반전 및 클램핑 전압들의 감소를 교번하는 디클램핑 루틴을 사용하여 정전 척으로부터 디척킹될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 실리콘 나이트라이드 막은 리모트 플라즈마 생성을 위한 소스 가스로서 질소 가스, 암모니아 가스 및 수소 가스의 혼합물을 사용하는 원자 층 증착에 의해 컨포멀하게 증착될 수 있다. A remote plasma processing apparatus with an electrostatic chuck can deposit film on a semiconductor substrate by atomic layer deposition or chemical vapor deposition. The remote plasma processing apparatus can include a remote plasma source and a reaction chamber downstream from the remote plasma source. An RF power source can be configured to apply high RF power to the remote plasma source and heating elements can be configured to apply high temperatures to the electrostatic chuck. The semiconductor substrate can be dechucked from the electrostatic chuck using a declamping routine that alternates reversing polarities and reducing clamping voltages. In some embodiments, silicon nitride film can be conformally deposited by atomic layer deposition using a mixture of nitrogen, ammonia, and hydrogen gases as a source gas for remote plasma generation.