cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

본 발명은 반도체 기판 세정제 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판 세정방법에 관한 것으로서, 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 유전상수가 10 이하인 비양성자성 유기용매를 포함함으로써, 고 종횡비를 가지는 미세패턴의 수세 세정공정에도 패턴의 무너짐을 방지할 수 있는 표면 보호막을 형성할 수 있고, 이에 따라 반도체 제조 수율을 개선한 반도체 소자 제조방법을 제공할 수 있다. The present disclosure relates to a cleaning agent composition for a substrate for a...

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Main Authors HEO YU JIN, LEE HAG SUNG, YIM NARAE, LEE MYUNGHO, YOU JINHO, KANG YOUNG MEE, KIM HYE JI, KIM KEON YOUNG, CHOI YUN SUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 02.05.2024
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Summary:본 발명은 반도체 기판 세정제 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판 세정방법에 관한 것으로서, 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물 및 유전상수가 10 이하인 비양성자성 유기용매를 포함함으로써, 고 종횡비를 가지는 미세패턴의 수세 세정공정에도 패턴의 무너짐을 방지할 수 있는 표면 보호막을 형성할 수 있고, 이에 따라 반도체 제조 수율을 개선한 반도체 소자 제조방법을 제공할 수 있다. The present disclosure relates to a cleaning agent composition for a substrate for a semiconductor device and a method for cleaning a substrate for a semiconductor device using the same. The cleaning agent composition contains a silicon-based compound represented by Formula 1 and an aprotic organic solvent with a dielectric constant of 10 or less, which can form a surface protective film capable of preventing collapse of the pattern even in a wet cleaning process of fine patterns with high aspect ratios, thereby providing a method for manufacturing a semiconductor device with an improved semiconductor manufacturing yield.
Bibliography:Application Number: KR20220137664