화학식 (I)의 적어도 하나의 금속 착화합물을 포함하는 유기 전자 장치

본 발명은 기판, 애노드층, 캐소드층, 적어도 하나의 제1 방출층, 및 정공 주입층을 포함하는 유기 전자 장치에 관한 것이며, 상기 정공 주입층은 금속 착화합물을 포함하고, 금속 착화합물은 화학식 (I)을 갖는다: JPEGpct00078.jpg2755. The present invention relates to an organic electronic device comprising a substrate, an anode layer, a cathode layer, at least one first emission layer, and...

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Main Authors HEGGEMANN ULRICH, WILLMANN STEFFEN, UVAROV VLADIMIR
Format Patent
LanguageKorean
Published 30.04.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명은 기판, 애노드층, 캐소드층, 적어도 하나의 제1 방출층, 및 정공 주입층을 포함하는 유기 전자 장치에 관한 것이며, 상기 정공 주입층은 금속 착화합물을 포함하고, 금속 착화합물은 화학식 (I)을 갖는다: JPEGpct00078.jpg2755. The present invention relates to an organic electronic device comprising a substrate, an anode layer, a cathode layer, at least one first emission layer, and a hole injection layer, wherein the hole injection layer comprises a metal complex, wherein the metal complex has the formula (I):
Bibliography:Application Number: KR20247012667