최상부 접점을 갖는 금속-절연체-금속 커패시터

• Main Authors: ZHU JOHN JIANHONG, GE LIXIN, NALLAPATI GIRIDHAR
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1 최상부 접점, 제1 최상부 접점에 인접한 제2 최상부 접점, 제1 최상부 접점 아래에 배치된 제1 메사 및 제2 최상부 접점 아래에 배치된 제2 메사를 포함하는 디바이스 및 디바이스 제조 방법에 대한 예들이 개시된다. 금속-절연체-금속(MIM) 커패시터의 제1 플레이트가 제1 최상부 접점 아래에 배치되고 제1 최상부 접점에 전기적으로 결합된다. MIM 커패시터의 제1 절연체가 제1 플레이트 상에 배치된다. MIM 커패시터의 제2 플레이트가 제1 절연체 상에 배치되고 제2 최상부 접점에 전기적으로 결합된다. MIM 커패시터의 제2 절연체가 제2 플레이트 상에 배치된다. MIM 커패시터의 제3 플레이트가 제2 절연체 상에 배치되고 제1 최상부 접점에 전기적으로 결합된다. Disclosed are examples of a device and method of fabricating a device including a first top contact, a second top contact, adjacent the first top contact, a first mesa disposed below the first top contact and a second mesa disposed below the second top contact. A first plate of a metal-insulator-metal (MIM) capacitor is disposed below the first top contact and electrically coupled to the first top contact. A first insulator of the MIM capacitor is disposed on the first plate. A second plate of the MIM capacitor is disposed on the first insulator and electrically coupled to the second top contact. A second insulator of the MIM capacitor is disposed on the second plate. A third plate of the MIM capacitor is disposed on the second insulator and electrically coupled to the first top contact.