후면 다이 대 패키지 인터커넥트들을 갖는 마이크로전자 어셈블리들

• Main Authors: ELSHERBINI ADEL, THEN HAN WAN, LIFF SHAWNA, JUN KIMIN, SWAN JOHANNA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

마이크로전자 어셈블리들, 관련 디바이스들 및 방법들이 본 명세서에 개시되어 있다. 일부 실시예들에서, 마이크로전자 어셈블리는 제1 층 내의, 제1 표면 및 대향하는 제2 표면을 갖는, 제1 다이 - 제1 다이는 제1 표면에 있는 제1 금속 배선 스택; 제1 금속 배선 스택 상의 디바이스 층; 디바이스 층 상의 제2 금속 배선 스택; 및 제1 금속 배선 스택에 전기적으로 결합되는 다이의 제1 표면 상의 인터커넥트를 포함함 -; 제1 층 내의 전도성 필라; 및 제1 층 상의 제2 층 내의, 제1 표면 및 대향하는 제2 표면을 갖는, 제2 다이 - 제2 다이의 제1 표면은 하이브리드 본딩 영역에 의해 전도성 필라 및 제1 다이의 제2 표면에 결합됨 - 를 포함할 수 있다. Microelectronic assemblies, related devices and methods, are disclosed herein. In some embodiments, a microelectronic assembly may include a first die, having a first surface and an opposing second surface, in a first layer, and including a first metallization stack at the first surface; a device layer on the first metallization stack; a second metallization stack on the device layer; and an interconnect on the first surface of the die electrically coupled to the first metallization stack; a conductive pillar in the first layer; and a second die, having a first surface and an opposing second surface, in a second layer on the first layer, wherein the first surface of the second die is coupled to the conductive pillar and to the second surface of the first die by a hybrid bonding region.