MULTI-ZONE GAS DISTRIBUTION SYSTEMS AND METHODS

• Main Authors: SINGH SARAVJEET, TSO ALAN, WIJEKOON MARLIN, SCHATZ KENNETH D, KIOUSSIS DIMITRI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 기술은, 반도체 처리 동작들 동안 균일한 플라즈마들을 형성하고 반도체 처리 챔버들의 내부를 처리하기 위한 개선된 가스 분배 설계들을 포함한다. 종래의 가스 분배 조립체들은 이후에 플라즈마 영역 내로 분배되는 특정 반응물 또는 반응물 비를 수용할 수 있지만, 본원에서 설명되는 기술은 반응물 투입 분배의 개선된 제어를 허용한다. 본 기술은, 공정 균일성에서 관측되는 임의의 불규칙성들을 상쇄하기 위해, 상이한 플라즈마 영역들로의 별개의 반응물 유동들을 허용한다. 제1 전구체가 기판/페디스털의 중심 위의 플라즈마의 중심에 전달될 수 있는 한편, 제2 전구체가 기판/페디스털의 외측 부분 위의 플라즈마의 외측 부분에 전달될 수 있다. 그렇게 함으로써, 페디스털 상에 상주하는 기판이 전체 표면에 걸쳐 더 균일한 식각 또는 증착 프로파일을 겪을 수 있다. The present technology includes improved gas distribution designs for forming uniform plasmas during semiconductor processing operations or for treating the interior of semiconductor processing chambers. While conventional gas distribution assemblies may receive a specific reactant or reactant ratio which is then distributed into the plasma region, the presently described technology allows for improved control of the reactant input distribution. The technology allows for separate flows of reactants to different regions of the plasma to offset any irregularities observed in process uniformity. A first precursor may be delivered to the center of the plasma above the center of the substrate/pedestal while a second precursor may be delivered to an outer portion of the plasma above an outer portion of the substrate/pedestal. In so doing, a substrate residing on the pedestal may experience a more uniform etch or deposition profile across the entire surface.