Method of fabricating a semiconductor device

• Main Authors: JANG JIN, KIM YURIM, LIM TAEBIN, TAK YONG SUK, LEE SEUNGHEE, BAE JINBAEK, SUN JIWON, KOH JIHYUN, KIM TEAWON, JANG SEUNGWOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 비트라인을 형성하는 것; 상기 비트 라인 상에 제2 방향으로 연장되는 제1 절연 패턴을 형성하는 것, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 교차하는 방향인 것; 상기 제1 절연 패턴 및 상기 비트라인을 덮는 반도체막을 형성하는 것; 상기 반도체 막 상에 열처리 공정을 수행하는 것; 상기 반도체 막 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것; 및 상기 반도체 막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 반도체 패턴은 상기 제1 방향으로 서로 대향하는 제1 수직부, 제2 수직부 및 상기 제1 수직부와 상기 제2 수직부를 연결하는 수평부를 포함하며, 상기 열처리 공정은 제1 가스 분위기에서 진행되고, 상기 플라즈마 처리 공정은 제2 가스를 플라즈마 가스로 사용하고, 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스의 각각은 일산화질소, 산소, 오존 및 이산화질소 중 어느 하나이다.