BACKSIDE ILLUMIATED IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 후면조사형 이미지 센서(1) 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 순차적으로 적층된 다수의 층 간 굴절률을 상이하게 형성함으로써, 렌즈부를 통과하여 입사하는 광의 경로가 연장 형성되도록 하여 감도 향상을 도모하는 후면조사형 이미지 센서(1) 및 제조방법에 관한 것이다. Disclosed are a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, a backside illuminated image s...

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Main Authors HAN CHANG HUN, JUNG JU HWAN, KANG TAE WOOK, YUN SANG WON
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.04.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명은 후면조사형 이미지 센서(1) 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 순차적으로 적층된 다수의 층 간 굴절률을 상이하게 형성함으로써, 렌즈부를 통과하여 입사하는 광의 경로가 연장 형성되도록 하여 감도 향상을 도모하는 후면조사형 이미지 센서(1) 및 제조방법에 관한 것이다. Disclosed are a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the backside illuminated image sensor include a plurality of sequential layers have different refractive indexes to extend a path of incident light passing through a lens, thereby increasing sensitivity.
Bibliography:Application Number: KR20220125968