기판 처리 방법

• Main Authors: NAKANISHI MASAYUKI, SATAKE MASAYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.04.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 복수의 기판을 접합하여 제조되는 적층 기판의 균열 및 결락을 억제하는 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히 적층 기판을 구성하는 복수의 기판의 에지부 사이에 형성된 간극에 충전제를 도포하는 기술에 관한 것이다. 본 기판 처리 방법은, 제1 기판(W1)의 에지부(E1)와 제2 기판(W2)의 에지부(E2)의 간극(G)에 제1 충전제(F1)를 도포하는 공정과, 제1 충전제(F1)의 도포 후, 제1 기판(W1)의 에지부(E1)와 제2 기판(W2)의 에지부(E2)와의 간극(G)에 제2 충전제(F2)를 도포하는 공정을 포함하고, 제1 충전제(F1)는 제2 충전제(F2)보다도 점도가 낮다. The present invention relates to a substrate processing method for suppressing cracking and chipping of a laminated substrate manufactured by joining a plurality of substrates, and particularly relates a technology for applying a filler in a gap formed between edge portions of the plurality of substrates constituting the laminated substrate. This substrate processing method includes: a step for applying a first filler (F1) in a gap (G) between an edge portion (E1) of a first substrate (W1) and an edge portion (E2) of a second substrate (W2); and a step for applying a second filler (F2) in the gap (G) between the edge portion (E1) of the first substrate (W1) and the edge portion (E2) of the second substrate (W2) after the applying of the first filler (F1). The first filler (F1) has a lower viscosity than the second filler (F2).