구상 결정질 실리카 분말 및 그 제조 방법

선 열팽창 계수가 높으며 또한 유전 정접이 낮은 수지 성형품을 부여할 수 있는 구상 결정질 실리카 분말 및 그 제조 방법을 제공한다. 25℃ 내지 30℃/분의 조건에서 1000℃까지 승온했을 때에 50℃ 내지 1000℃에 있어서 탈리하는 물 분자수가 10μmol/g 이하이며, 분말 전체의 10질량% 이상이 α-석영 결정인, 구상 결정질 실리카 분말로 한다. (ⅰ) 구상 비정질 실리카 분말을 가열하여 구상 결정질 실리카 분말을 얻는 것, (ⅱ) 구상 결정질 실리카 분말을 산과 접촉시키는 것, 및 (ⅲ) (ⅱ)에 의해 처리된 구상 결정...

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Main Authors FUKAZAWA MOTOHARU, OKABE TAKUTO, KOBAYASHI TAKUJI
Format Patent
LanguageKorean
Published 02.04.2024
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Summary:선 열팽창 계수가 높으며 또한 유전 정접이 낮은 수지 성형품을 부여할 수 있는 구상 결정질 실리카 분말 및 그 제조 방법을 제공한다. 25℃ 내지 30℃/분의 조건에서 1000℃까지 승온했을 때에 50℃ 내지 1000℃에 있어서 탈리하는 물 분자수가 10μmol/g 이하이며, 분말 전체의 10질량% 이상이 α-석영 결정인, 구상 결정질 실리카 분말로 한다. (ⅰ) 구상 비정질 실리카 분말을 가열하여 구상 결정질 실리카 분말을 얻는 것, (ⅱ) 구상 결정질 실리카 분말을 산과 접촉시키는 것, 및 (ⅲ) (ⅱ)에 의해 처리된 구상 결정질 실리카 분말을 800 내지 1400℃에서 가열하는 것을 포함하는, 구상 결정질 실리카 분말의 제조 방법으로 한다. To provide: a spherical crystalline silica powder which enables a resin molded article having a high coefficient of linear thermal expansion and a low dielectric tangent to be obtained; and a method for producing the same.Provided is a spherical crystalline silica powder in which the number of water molecules desorbed at 50°C-1,000°C when the temperature is increased from 25°C to 1,000°C at a condition of 30°C/min. is 10 µmol/g or less, and in which 10 mass% or more of the total powder is α-quartz crystal.Also provided is a method for producing a spherical crystalline silica powder, the method comprising:(i) heating a spherical amorphous silica powder to obtain a spherical crystalline silica powder;(ii) bringing the spherical crystalline silica powder into contact with an acid; and(iii) heating, at 800-1,400°C, the spherical crystalline silica powder treated by (ii).
Bibliography:Application Number: KR20247008761