ELECTROSTATIC DISCHARGE DEVICE AND DISPLAY DRIVE CHIP INCLUDING THE SAME

• Main Authors: KIM JUN HYEOK, KANG CHANG SIG, KO JAE HYOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.04.2024
• Subjects: ADVERTISING; ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICESUSING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES

일부 실시예들에 따르면 ESD 소자가 제공된다. 상기 ESD 소자는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 내의 베이스 웰; 상기 베이스 웰 내에서, 제1 도전형을 갖는 제1 영역 베이스 웰과 상기 제1 영역 베이스 웰 상에서 상기 제1 도전형을 갖는 제1 불순물 영역을 포함하는 제1 영역; 상기 베이스 웰 내에서, 상기 제1 영역으로부터 수평 방향으로 이격되어 배치되며, 상기 제1 도전형의 반대인 제2 도전형을 갖는 제2 영역 베이스 웰, 상기 제2 영역 베이스 웰 내에서 상기 제2 도전형을 갖는 제2 영역 중간 웰, 및 상기 제2 영역 중간 웰 상에서 상기 제2 도전형을 갖는 제2 불순물 영역을 포함하는 제2 영역; 상기 제1 불순물 영역 상에서 상기 제1 불순물 영역과 수직 방향에서 적어도 부분적으로 중첩되는 제1 실리사이드막; 및 상기 제2 불순물 영역 상에서 상기 제1 실리사이드막과 수평 방향으로 이격되어 배치되며, 상기 제2 불순물 영역과 수직 방향에서 적어도 부분적으로 중첩되는 제2 실리사이드막;을 포함하고, 서로 이격된 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 상기 베이스 웰의 일부인 제1 부분이 배치되며, 상기 제1 부분은 서로 이격된 상기 제1 실리사이드막과 상기 제2 실리사이드막 사이의 제1 이격 영역에 배치된다. An electrostatic discharge (ESD) device may include a semiconductor substrate, a base well in the semiconductor substrate, a first region including a first impurity region having a first conductivity type within the base well, a second region apart from the first region in a horizontal direction in the base well and including a second impurity region having a second conductivity type a first silicide layer at least partially overlapping the first impurity region in a vertical direction on the first impurity region, and a second silicide layer on the second impurity region and apart from the first silicide layer in the horizontal direction. The second silicide layer may at least partially overlap the second impurity region in the vertical direction. The second conductivity type may be opposite the first conductivity type.