Gapfill Methods and Processing Assemblies

• Main Authors: TYNELL TOMMI, PORE VILJAMI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 개시는 반도체 기판 내의 갭을 충진하는 방법에 관한 것이다. 갭을 충진하는 방법이 개시된다. 방법은 반응 챔버 내에 갭을 포함한 기판을 제공하는 단계, 실리콘 및 탄소를 포함한 제1 전구체를 기상으로 반응 챔버 내에 제공하는 단계를 포함하되, 제1 전구체는 적어도 하나의 불포화 탄소-탄소 결합 및 산소와 질소로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 포함한다. 방법은, 갭 충진 재료를 형성하기 위해 제1 전구체를 중합시키도록 제1 플라즈마를 반응 챔버 내에 제공하는 단계, 이에 따라 갭을 갭 충진 재료로 적어도 부분적으로 충진하는 단계를 추가로 포함한다. 일부 구현예에서, 적어도 하나의 불포화 결합은 이중 결합이다. The disclosure relates to methods of filling gaps in semiconductor substrates. A method of filling a gap is disclosed. The method including providing a substrate having a gap in a reaction chamber, providing a first precursor including silicon and carbon into the reaction chamber in a vapor phase, wherein the first precursor includes at least one unsaturated carbon-carbon bond and at least one atom selected from oxygen and nitrogen. The method further includes providing a first plasma into the reaction chamber to polymerize the first precursor for forming a gap filling material, thereby at least partially filling the gap with the gap filling material. In some embodiments, the at least one unsaturated bond is a double bond.