Apparatus And Method for Treating Substrate

• Main Authors: OH DONG SUB, KIM JAE HWAN, PARK JI HOON, KHEEL HYE JOON, LEE SEONG GIL, KOO JOUN TAEK, PARK WAN JAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 기술적 사상은 실리콘 질화물 층의 선택적 식각 공정을 포함하는 기판 처리 방법으로서, 선택적 식각 공정은, 처리 공간 내에 기판을 제공하되, 기판 상에 실리콘 질화물을 포함하는 제1 물질층과 실리콘 산화물을 포함하는 제2 물질층이 형성된, 기판을 제공하는 단계; 산소(O2), 삼불화질소(NF3), 및 헬륨(He) 기체를 포함하는 공정 가스를 흘리되, O2 기체는 제1 유량으로 흐르고, NF3 기체는 제2 유량으로 흐르도록 상기 공정 가스를 흘리는 단계; 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 플라즈마를 이용하여 상기 제1 물질층 및 상기 제2 물질층을 식각하는 단계를 포함하고, 식각하는 단계에서, 제1 유량 및 제2 유량 중 적어도 하나를 조절하여 식각 선택비가 조절되고, 식각 선택비는 제2 물질층의 식각 속도에 대한 상기 제1 물질층의 식각 속도의 비율인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.