박막 반도체 스위칭 장치

새로운 반도체 장치가 교시된다. 새로운 장치는 소스와 드레인 사이에 채널을 형성하기 위한 n형 반도체 층을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. TFT는 TFT의 동작에 대한 공핍층 제어를 제공하기 위해 장치의 적어도 소스 콘택에 인접한 소스-채널 계면 부재를 더 포함한다. Novel semiconductor devices are taught. The novel devices include a thin film transistor (TFT) with an n-type semiconductor layer to form a cha...

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Main Authors CADIEN KENNETH C, BARLAGE DOUGLAS W, MILBURN ERIC WILSON, MA ALEX MUNNLICK, SHOUTE LHING GEM
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.03.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:새로운 반도체 장치가 교시된다. 새로운 장치는 소스와 드레인 사이에 채널을 형성하기 위한 n형 반도체 층을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. TFT는 TFT의 동작에 대한 공핍층 제어를 제공하기 위해 장치의 적어도 소스 콘택에 인접한 소스-채널 계면 부재를 더 포함한다. Novel semiconductor devices are taught. The novel devices include a thin film transistor (TFT) with an n-type semiconductor layer to form a channel between a source and a drain. The TFT further includes a source-channel interfacial member adjacent to at least the source contact of the device to provide depletion layer control of the operation of the TFT.
Bibliography:Application Number: KR20247002156