SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: LEE MIN JUN, NOH YOUNG JI, WOO JONG HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.03.2024
• Subjects: ELECTRICITY

반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 기판, 상기 기판 상에, 제1 배선을 포함하는 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층 상의 공통 소오스 플레이트, 공통 소오스 플레이트 상에, 제1 방향으로 연장되는 도전층, 도전층의 일측벽 상의 강유전체층, 강유전체층 상의 채널층, 채널층 상에, 공통 소오스 플레이트를 관통하여 제1 배선과 연결되는 제1 도전성 필라, 및 채널층 상에, 제1 도전성 필라와 제1 방향으로 이격되고, 공통 소오스 플레이트와 연결되는 제2 도전성 필라를 포함하고, 강유전체층 및 채널층은 공통 소오스 플레이트와 제1 도전성 필라 사이에 배치된다. Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes a substrate; a first interlayer insulating layer, on the substrate, comprising a first interconnection; a common source plate on the first interlayer insulating layer; a conductive layer extending in a first direction on the common source plate; a ferroelectric layer on one sidewall of the conductive layer; a channel layer on the ferroelectric layer; a first conductive pillar, on the channel layer, penetrating the common source plate and being connected to the first interconnection; and a second conductive pillar, on the channel layer, spaced apart from the first conductive pillar in the first direction and connected to the common source plate, the ferroelectric layer and the channel layer between the common source plate and the first conductive pillar.