이온빔 에칭기 및 그 하부전극 구조체

• Main Authors: XU KAIDONG, YANG CHAOQUAN, SHI XIAOLI, ZHANG YAOYAO, CHENG SHIRAN, YU XIANG, ZHANG HUAIDONG, HU DONGDONG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

이온빔 에칭기 및 그 하부전극 구조체. 상기 하부전극 구조체는 전극판, 가압링 기구 및 승강 기구를 포함하고, 상기 가압링 기구는 피식각 부재를 지지하도록 구성되고, 상기 승강 기구는 상기 가압링 기구를 상기 전극판에 대해 상승 및 하강시키도록 구동하도록 구성되며, 상기 가압링 기구가 상기 전극판에 대해 하강하는 위치를 검출하는 위치검출 기구를 더 포함한다. 상기 승강 기구는 상기 위치검출 기구에 의해 피드백되는 검출 정보에 기초하여 상기 가압링 기구의 하강 구동을 중지하도록 구성된다. 상기 하부전극 구조체의 배치는 피식각 부재의 파편화를 회피할 수 있고, 제품 수율을 향상시킬 수 있다. An ion beam etching machine and a lower electrode structure thereof. The lower electrode structure comprises an electrode plate, a ring pressing mechanism, and a lifting mechanism, the ring pressing mechanism being configured to support a member to be etched, and the lifting mechanism being configured to drive the ring pressing mechanism to ascend and descend relative to the electrode plate; and same further comprises a position measurement mechanism for measuring a position to which the ring pressing mechanism descends relative to the electrode plate. The lifting mechanism is configured to stop driving the ring pressing mechanism to descend based on measurement information fed back by the position measurement mechanism. The arrangement of the lower electrode structure can avoid fragmenting of the member to be etched, and improve the product yield.