SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

• Main Authors: KIM MINKI, LEE HYUEKJAE, BAEK SEUNGDUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치는, 차례로 적층된 제1 칩 구조체 및 제2 칩 구조체를 포함한다. 상기 제1 및 제2 칩 구조체들 각각은 제1 칩, 상기 제1 칩 상의 제2 칩을 포함한다. 상기 제1 칩은: 제1 기판; 상기 제1 기판의 일 면 상의 제1 상부 패드, 및 상기 제1 상부 패드의 하부를 둘러싸는 제1 상부 절연막을 포함하는 제1 상부 본딩층; 상기 제1 상부 절연막 상에서 상기 제1 상부 패드의 상부를 둘러싸는 희생막; 상기 제1 기판의 타 면 상의 제1 하부 패드, 및 상기 제1 하부 패드를 둘러싸는 제1 하부 절연막을 포함하는 제1 하부 본딩층을 포함한다. 상기 제2 칩은: 제2 기판; 상기 제2 기판의 일 면 상의 제2 상부 패드, 및 상기 제2 상부 패드를 둘러싸는 제2 상부 절연막을 포함하는 제2 상부 본딩층; 및 상기 제2 기판의 타 면 상의 제2 하부 패드, 및 상기 제2 하부 패드를 둘러싸는 제2 하부 절연막을 포함하는 제2 하부 본딩층을 포함한다. 상기 희생막은 상기 제1 칩의 상기 제1 상부 절연막과 상기 제2 칩의 상기 제2 하부 본딩층의 사이에 개재된다. 상기 제2 칩 구조체의 제1 칩의 제1 하부 본딩층은, 상기 제1 칩 구조체의 제2 칩의 제2 하부 본딩층에 접한다. A semiconductor device includes a first chip and a second chip stacked on the first chip. The first chip includes a first substrate, a first upper pad on an upper surface of the first substrate, a first upper insulating layer surrounding a lower portion of the first upper pad and a sacrificial layer surrounding an upper portion of the first upper pad. The second chip includes a second substrate, a second upper pad on an upper surface of the second substrate and a second upper insulating layer surrounding the second upper pad, wherein a thickness of the second upper pad is less than a thickness of the first upper pad.