SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: SATO YUSUKE, NEMOTO SHUHEI, SHOJI KAZUHIRO, NISHIMURA TOMOMITSU, HISHITANI DAISUKE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[과제] 챔버의 내부 공간 내에서 반도체 웨이퍼 등의 기판을 기판 유지부로 유지한 채로 가열 가스에 의한 기판의 가열과 기판의 주연부의 처리를 실행하는 기판 처리 장치에 있어서, 가열 가스를 얻기 위한 가열 기구에 의한 열 영향을 억제하면서 기판의 주연부를 고정밀도로 관찰한다. [해결 수단] 이 발명에 따른 기판 처리 장치에서는, 기판을 가열하기 위한 가열 기구는, 내부 공간에 배치되는 가스 토출 노즐과, 챔버의 외벽에 장착된 히터와, 히터에 의해 가열된 불활성 가스를 가스 토출 노즐로 보내는 배관을 갖고 있다. 한편, 기판의 주연부를 관찰하는 관찰 기구에 포함되는 광원부 및 촬상부는, 챔버의 내부 공간 내이며, 또한 챔버의 외벽 중 히터가 장착된 장착 부위로부터 떨어진 이격 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 광원부 및 촬상부는 히터에서 발생한 열의 영향을 받기 어려워, 온도 변화의 영향에 의한 관찰 정밀도의 저하가 방지된다. In a substrate processing apparatus according to the present invention, a heating mechanism for heating a substrate includes a gas discharge nozzle arranged in an internal space, a heater attached to an outer wall of a chamber, and a pipe feeding to the discharge nozzle. An observing mechanism includes a light source part and an image pickup part which are arranged at a separation position away from an attachment portion in the outer wall of the chamber. Thus, the light source part and the image pickup part become less susceptible to an effect of heat generated by the heater. In other words, it is possible to prevent the reduction in the observation accuracy due to an effect of temperature change.