SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: CHOI SUNGHA, PARK JUHYUK, KIM KIHUN, YONG SANGHEON, KIM HONGSUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

에어-갭을 형성하는 방법이 개시되며, 상기 방법은 표면에 갭이 형성된 기판을 반응 공간 내에 제공하는 단계, 상기 반응 공간 내에 전구체 및 반응물 기체를 공급하면서, 상기 기판의 상기 갭 내에 유동성 막을 증착하는 단계, 상기 갭의 하부 영역에 비하여 상기 갭의 상부 영역에서의 상기 유동성 막의 유동도가 감소하도록 상기 유동성 막에 대해 플라즈마 처리하는 단계, 및 상기 유동성 막을 증착하는 단계 및 상기 유동성 막에 대해 플라즈마 처리하는 단계를 반복하여, 상기 갭 내에 에어-갭을 형성하는 단계를 포함한다. A method of processing a substrate is disclosed, the method including: providing the substrate where a gap is formed on a surface thereof to a reaction space, performing a deposition step of depositing a flowable film in the gap of the substrate while supplying a precursor and a reactant gas to the reaction space, performing a plasma treatment step to the flowable film so that the flowability of the flowable film in an upper region of the gap decreases compared to a lower region of the gap, and repeating the deposition step of depositing the flowable film and the plasma treatment step to the flowable film, to form an air-gap within the gap.