Semiconductor device

• Main Authors: KIM KI HWAN, MOON KANG HUN, KIM KYUNG HO, LEE CHO EUN, JEON YONG UK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 NMOS 영역을 형성하는 기판, 기판 상에서 제1 수평 방향으로 연장되는 액티브 패턴, 액티브 패턴 상에서 수직 방향으로 서로 이격되어 적층된 복수의 나노시트, 액티브 패턴 상에서 제1 수평 방향과 다른 제2 수평 방향으로 연장되고, 복수의 나노시트를 둘러싸는 게이트 전극, 액티브 패턴 상에서 게이트 전극의 적어도 일 측에 형성되는 소오스/드레인 트렌치, 및 소오스/드레인 트렌치의 내부에 배치되는 소오스/드레인 영역을 포함하되, 소오스/드레인 영역은, 소오스/드레인 트렌치의 측벽 및 바닥면을 따라 배치되고, 도핑된 제1 n형 불순물을 포함하는 제1 층과, 소오스/드레인 트렌치의 내부에서 제1 층 상에 배치되고, 도핑된 게르마늄(Ge)을 포함하는 제2 층과, 제2 층 상에서 소오스/드레인 트렌치의 내부를 채우고, 도핑된 제2 n형 불순물을 포함하는 제3 층을 포함한다. A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes: an active pattern extending in on a substrate; nanosheets stacked on the active pattern; a gate electrode on the active pattern and surrounding the nanosheets; a source/drain trench on the active pattern adjacent the gate electrode; and a source/drain region in the source/drain trench, The source/drain region includes: a first layer provided along a sidewall and a bottom surface of the source/drain trench, the first layer having a first n-type impurity doped therein; a second layer on the first layer in the source/drain trench, the second layer having germanium (Ge) doped therein; and a third layer filling a remaining portion of the source/drain trench on the second layer, the third layer having a second n-type impurity doped therein.