SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DATA STORAGE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACURING DATA STORAGE STRUCTURE

• Main Author: JUNG KYOO HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

예시적인 실시예들에 따른 정보 저장 구조물은, 하부 전극; 상기 하부 전극 상의 유전체 층; 및 상기 유전체 층 상의 상부 전극을 포함하되, 상기 유전체 층은, 결정상을 가지며 제1 금속을 포함하는 금속 화합물을 포함하고, 상기 유전체 층은, 상기 상부 전극과 인접한 상기 유전체 층의 계면 영역에 위치하는 상 조절 물질을 더 포함하고, 상기 상 조절 물질은, 상기 유전체 층의 상기 금속 화합물의 상 변화를 유도하는 제2 금속 및 상기 제2 금속을 포함하는 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. A data storage structure may include a lower electrode, a dielectric layer on the lower electrode, and an upper electrode on the dielectric layer. The dielectric layer may include a metal compound having a crystalline phase and including a first metal. The dielectric layer also may include a phase control material located in an interfacial region of the dielectric layer, adjacent to the upper electrode. The phase control material may include at least one of a second metal and a metal nitride. The second metal may be configured to induce a phase change in the metal compound of the dielectric layer. The metal nitride may include the second metal.