기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 컴퓨터 기억 매체

• Main Authors: OKAWA SATOSHI, OKAMURA NAOYUKI, UNO TAKASHI, MATSUKI KATSUFUMI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 적어도 불산 및 질산을 포함하는 에칭액을 기판의 하나의 면에 공급하여, 당해 하나의 면을 에칭하는 것을 가지고, 상기 하나의 면의 에칭은, 상기 기판의 회전 중심을 사이에 두고 왕복동의 양 단부에 설정되는 반환 지점의 사이의 거리인 스캔 폭, 및, 에칭액 공급부를 왕복동시키는 스캔 속도를, 당해 에칭액 공급부가 상기 회전 중심을 통과한 후, 상기 왕복동의 단부에서 반환하여, 재차 상기 회전 중심을 통과할 때까지의 제 1 시간이, 상기 회전 중심에 공급된 상기 에칭액이, 상기 기판의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 상기 기판의 외주부로 배출될 때까지의 제 2 시간보다 짧아지는 조건으로 결정하는 것과, 결정된 상기 스캔 폭과 상기 스캔 속도로, 상기 하나의 면을 에칭하는 것을 포함한다. A substrate processing method of processing a substrate includes etching a first surface of the substrate by supplying an etching liquid containing at least hydrofluoric acid and nitric acid onto the first surface. The etching of the first surface includes determining a scan width as a distance between return points set at both ends of a reciprocating movement, and a scan speed at which an etching liquid supply is reciprocated such that a first time taken for the etching liquid supply that has passed a rotation center to pass the rotation center again after turning around at the end of the reciprocating movement becomes shorter than a second time taken for the etching liquid supplied to the rotation center to be removed to an outer peripheral portion of the substrate by a centrifugal force; and etching the first surface with the determined scan width and the determined scan speed.