기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치

• Main Authors: TANG XIANMIN, LI RUI, GARDE KOMAL, LEE JOUNG JOO, KALATHIPARAMBIL KISHOR KUMAR, MEBARKI BENCHERKI, XIE XIANGJIN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 제공된다. 예를 들어, 방법은 기판의 피처를 포함하는 층 상에 재료 층을 형성하기 위해 PVD 챔버 내에서 타깃으로부터 재료를 스퍼터링하는 단계 - 피처는 제1 측벽과 제2 측벽에 의해 정의되는 개구 폭을 갖고, 재료 층은 피처 내의 제1 측벽 또는 제2 측벽 상의 두께보다 층의 최상부 표면에서 더 큰 측방향 두께를 가짐 - , 저전력의 RF 바이어스로 층을 바이어싱함으로써 층 상에 부가적인 재료를 증착하는 단계, 고전력의 RF 바이어스로 층을 바이어싱함으로써 층으로부터 재료 층을 에칭하는 단계, 및 미리 결정된 주파수로 저전력과 고전력 사이에서 반복적으로 교번하는 단계를 포함한다. Methods and apparatus for processing a substrate are provided. For example, a method includes sputtering a material from a target in a PVD chamber to form a material layer on a layer comprising a feature of the substrate, the feature having an opening width defined by a first sidewall and a second sidewall, the material layer having a greater lateral thickness at the top surface of the layer than a thickness on the first sidewall or the second sidewall within the feature, depositing additional material on the layer by biasing the layer with an RF bias at a low power, etching the material layer from the layer by biasing the layer with an RF bias at a high-power, and repeatedly alternating between the low power and the high-power at a predetermined frequency.