METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OKAZAKI KENICHI, SHIMA YUKINORI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

전기 특성이 양호한 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는 금속 산화물을 포함하는 반도체층을 형성하는 제 1 공정과, 제 1 절연층을 형성하는 제 2 공정과, 제 1 절연층 위에 제 1 도전막을 성막하는 제 3 공정과, 제 1 도전막의 일부를 에칭함으로써 제 1 도전층을 형성하고, 반도체층 위에 제 1 도전층이 중첩되는 제 1 영역과 반도체층 위에 제 1 도전층이 중첩되지 않는 제 2 영역을 형성하는 제 4 공정과, 도전층에 대하여 제 1 처리를 수행하는 제 5 공정에 의하여 제작한다. 제 1 처리는 산소 원소를 포함하고 수소 원소를 포함하지 않는 제 1 가스와, 수소 원소를 포함하고 산소 원소를 포함하지 않는 제 2 가스의 혼합 가스를 포함하는 분위기하에서의 플라스마 처리이다. A semiconductor device having favorable electrical characteristics is provided. The semiconductor device is manufactured by a first step of forming a semiconductor layer containing a metal oxide, a second step of forming a first insulating layer, a third step of forming a first conductive film over the first insulating layer, a fourth step of etching part of the first conductive film to form a first conductive layer, thereby forming a first region over the semiconductor layer that overlaps with the first conductive layer and a second region over the semiconductor layer that does not overlap with the first conductive layer, and a fifth step of performing first treatment on the conductive layer. The first treatment is plasma treatment in an atmosphere including a mixed gas of a first gas containing an oxygen element but not containing a hydrogen element, and a second gas containing a hydrogen element but not containing an oxygen element.