프로세스 드리프트를 제어하기 위한 프로세싱 시스템들 및 방법들

• Main Authors: KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, RUAN FANG, KEDLAYA DIWAKAR, CHUA VIVIEN, JIANG ZHIJUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 23.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; CLEANING; CLEANING IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TRANSPORTING

반도체 프로세싱의 예시적인 방법들은 플루오르 함유 프리커서의 플라즈마를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 방법들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역에서 챔버 세정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 프로세싱 영역은 면판과 기판 지지체 사이에서 적어도 부분적으로 정의될 수 있다. 방법들은 챔버 세정 동안 알루미늄 불화물을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 방법들은 프로세싱 영역 내의 표면들을 탄소 함유 프리커서와 접촉시키는 것을 포함할 수 있다. 방법들은 프로세싱 영역의 표면들로부터 알루미늄 불화물을 휘발시키는 것을 포함할 수 있다. Exemplary methods of semiconductor processing may include forming a plasma of a fluorine-containing precursor. The methods may include performing a chamber clean in a processing region of a semiconductor processing chamber. The processing region may be at least partially defined between a faceplate and a substrate support. The methods may include generating aluminum fluoride during the chamber clean. The methods may include contacting surfaces within the processing region with a carbon-containing precursor. The methods may include volatilizing aluminum fluoride from the surfaces of the processing region.