화학적 기계적 연마(CMP) 동안의 슬러리 감소를 위한 분무 시스템

• Main Authors: CHEUNG TIFFANY YU NUNG, MIKHAYLICHENKO EKATERINA, LEE CHRISTOPHER HEUNG GYUN, IYER ANAND NILAKANTAN, CHOU CHIH CHUNG, RONDUM ERIK, CHANG SHOU SUNG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 20.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

화학적 기계적 연마(CMP) 시스템 내의 연마 패드 상에 연마 유체들을 분배하기 위한 방법들 및 장치들이 본원에 개시된다. 특히, 본원의 실시예들은, 캐리어 조립체를 사용하여 연마 시스템의 패드의 표면에 대해 기판을 압박하는 단계를 포함하는 CMP 연마 방법에 관한 것이다. 유체는 가변 유량으로 유체 전달 조립체로부터 패드 상에 분배되고, 가변 유량의 제1 유량은 소정의 주파수 및 듀티 사이클로 펄싱된다. 주파수는 패드의 회전당 제1 유량의 유체의 펄스들의 개수를 지칭한다. 듀티 사이클이라는 용어는, 패드의 회전당 유체에 노출되는 패드의 백분율을 지칭한다. 캐리어 조립체는 회전 축을 중심으로 캐리어 조립체를 회전시키면서 패드의 표면에 걸쳐 병진된다. Methods and apparatuses for dispensing polishing fluids onto a polishing pad within a chemical mechanical polishing (CMP) system are disclosed herein. In particular, embodiments herein relate to a CMP apparatus for processing a substrate including a pad disposed on a platen. The pad has a pad radius and a central axis from which the pad radius extends. The apparatus also include a carrier assembly configured to be disposed on a surface of the pad and having a carrier radius that extends from a rotational axis of the carrier assembly and a fluid delivery assembly comprising one or more nozzles, each nozzle coupled to a fast actuating valve.