SCHOTTKY DIODE OPTICAL SENSOR AND SCHOTTKY DIODE OPTICAL SENSOR ARRAY INCLUDING THE SAME

본 발명의 일 실시예에 따른 협대역 쇼트키 다이오드 광센서는 제1 전극; 상기 제1 전극에 연결되는 반도체층; 상기 반도체층과 접촉하여 상기 반도체층 위에 형성되는 MDM 적층 부재; 그리고 상기 MDM 적층 부재에 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 MDM 적층 부재는 적어도 하나 이상의 서브 MDM 적층 부재를 포함하고, 상기 서브 MDM 적층 부재는 차례로 적층된 하부 금속층, 유전체층, 그리고 상부 금속층을 포함하며, 상기 반도체층과 접촉하는 상기 하부 금속층은 쇼트키 접합 영역을 형성한다. A narrowband Scho...

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Main Authors KIM KWANGSEOP, LIM MIKYUNG, KANG WOO SEOK, LEE JINYOENG, KIM HYEON DON, KWEUN MINWOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.02.2024
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Summary:본 발명의 일 실시예에 따른 협대역 쇼트키 다이오드 광센서는 제1 전극; 상기 제1 전극에 연결되는 반도체층; 상기 반도체층과 접촉하여 상기 반도체층 위에 형성되는 MDM 적층 부재; 그리고 상기 MDM 적층 부재에 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 MDM 적층 부재는 적어도 하나 이상의 서브 MDM 적층 부재를 포함하고, 상기 서브 MDM 적층 부재는 차례로 적층된 하부 금속층, 유전체층, 그리고 상부 금속층을 포함하며, 상기 반도체층과 접촉하는 상기 하부 금속층은 쇼트키 접합 영역을 형성한다. A narrowband Schottky diode light sensor according to one embodiment of the present invention comprises: a first electrode; a semiconductor layer connected to the first electrode; a MDM stacking member in contact with the semiconductor layer so as to be formed on the semiconductor layer; and a second electrode connected to the MDM stacking member, wherein the MDM stacking member includes at least one sub-MDM stacking member, the sub-MDM stacking member includes a lower metal layer, a dielectric layer and an upper metal layer, which are stacked in order, and the lower metal layer, which is in contact with the semiconductor layer, forms a Schottky junction area.
Bibliography:Application Number: KR20220098755