Semiconductor package and method for fabricating the same

• Main Authors: KIM JAE CHOON, MUN SUNG HO, PARK HWAN JOO, KANG SUNG GU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

열특성이 개선된 반도체 패키지가 제공된다. 반도체 패키지는, 제1 다이(die)를 포함하는 제1 패키지; 상기 제1 패키지 상에 설치되고, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 인터포저(interposer); 상기 제2 영역 상에 설치된 제2 패키지; 및 상기 제1 영역 상에 설치되고, 상기 제2 영역 상에는 미설치된 열확산 구조를 포함하되, 상기 제1 다이는 상기 제1 패키지 내에서, 상기 제2 영역보다 상기 제1 영역에 더 오버랩되도록 배치되어, 상기 제1 다이에서 발생된 열은 상기 열확산 구조를 통해서 배출될 수 있다. A semiconductor package with improved thermal properties is provided. The semiconductor package includes a first package including a first die, an interposer on the first package and including a first area and a second area. A second package is on a top face of the interposer in the second area, and a thermal diffusion structure is on a top face of the interposer in the first area. The thermal diffusion structure is configured so that heat generated in the first die is discharged through the thermal diffusion structure.