TREATMENTS TO ENHANCE MATERIAL STRUCTURES

기판 상에 형성된 반도체 구조 상에 고-κ 유전체 캡 층을 형성하는 방법은, 반도체 구조 상에 고-κ 유전체 캡 층을 증착하는 단계, 고-κ 유전체 캡 층 상에 희생 실리콘 캡 층을 증착하는 단계, 증착 직후의 고-κ 유전체 캡 층을 경화 및 치밀화하기 위한 캡 어닐링 후 프로세스를 수행하는 단계, 및 희생 실리콘 캡 층을 제거하는 단계를 포함한다. A method of forming a high-[kappa] dielectric cap layer on a semiconductor structure formed on a substr...

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Main Authors HUNG STEVEN C. H, WRENCH JACQUELINE SAMANTHA, YANG YONG, GANDIKOTA SRINIVAS, YANG YIXIONG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.02.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:기판 상에 형성된 반도체 구조 상에 고-κ 유전체 캡 층을 형성하는 방법은, 반도체 구조 상에 고-κ 유전체 캡 층을 증착하는 단계, 고-κ 유전체 캡 층 상에 희생 실리콘 캡 층을 증착하는 단계, 증착 직후의 고-κ 유전체 캡 층을 경화 및 치밀화하기 위한 캡 어닐링 후 프로세스를 수행하는 단계, 및 희생 실리콘 캡 층을 제거하는 단계를 포함한다. A method of forming a high-[kappa] dielectric cap layer on a semiconductor structure formed on a substrate includes depositing the high-[kappa] dielectric cap layer on the semiconductor structure, depositing a sacrificial silicon cap layer on the high-[kappa] dielectric cap layer, performing a post cap anneal process to harden and densify the as-deposited high-[kappa] dielectric cap layer, and removing the sacrificial silicon cap layer.
Bibliography:Application Number: KR20240015824