Semiconductor memory device and method for fabricating the same

• Main Authors: LEE DA IN, YOO WON SEOK, SEO CHANG WOO, SHIM HYUN CHUL, SONG SU YOUN, SONG JEONG EUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.02.2024
• Subjects: ELECTRICITY

반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 반도체 메모리 장치는, 트렌치 및 컨택 리세스를 포함하는 기판, 트렌치 내에 배치되고 트렌치의 폭보다 작은 폭을 갖는 다이렉트 컨택, 다이렉트 컨택 상에 배치되고, 트렌치의 폭보다 작은 폭을 갖는 비트라인 구조체, 다이렉트 컨택 및 비트라인 구조체의 측면 상에 배치되는 스페이서 구조체 및 스페이서 구조체에 의해 다이렉트 컨택 및 비트라인 구조체와 이격되고, 컨택 리세스를 채우는 매몰 컨택을 포함하고, 스페이서 구조체는, 트렌치 내에서 다이렉트 컨택 및 매몰 컨택 사이에 배치되는 산화막과, 산화막 상에 배치되고, 트렌치 내에서 다이렉트 컨택 및 매몰 컨택 사이에 배치되는 씨드층과, 씨드층 상에서 트렌치를 채우고, 실리콘 질화물을 포함하는 벌크층을 포함하고, 씨드층은 탄소를 포함한다. A semiconductor memory device includes a substrate including a trench and a contact recess, a direct contact placed inside the trench and having a width smaller than a width of the trench, a bit line structure placed on the direct contact and having a width smaller than the width of the trench, a spacer structure placed on side surfaces of the direct contact and the bit line structure, and a buried contact spaced apart from the direct contact and the bit line structure by the spacer structure and filling the contact recess. The spacer structure includes an oxide film placed between the direct contact and the buried contact inside the trench, a seed layer placed on the oxide film inside the trench between the direct contact and the buried contact, and a bulk layer filling the trench on the seed layer and including silicon nitride. The seed layer includes carbon.