CCP 플라즈마 또는 RPS 세정을 이용한 SiN의 세정

• Main Authors: RAMALINGAM JOTHILINGAM, LAVITSKY ILYA, TANG XIANMIN, SCHMIEDING RANDY D, CAO YONG, MILLER KEITH A, GUNG TZA JING, LAVAN SHANE, FORSTER JOHN C, SAVANDAIAH KIRANKUMAR NEELASANDRA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

물리 기상 증착 프로세싱 챔버가 설명된다. 프로세싱 챔버는 프로세싱 챔버의 상부 부분에 있는 타깃 백킹 플레이트, 프로세싱 챔버의 하부 부분에 있는 기판 지지부, 기판 지지부의 외주부에 포지셔닝된 증착 링, 및 실드를 포함한다. 기판 지지부는 프로세스 공동을 형성하기 위해 타깃 백킹 플레이트로부터 일정 거리만큼 이격된 지지면을 갖는다. 실드는 프로세스 공동의 외부 경계를 형성한다. 챔버내 세정 방법들이 또한 설명된다. 일 실시예에서, 이 방법은 프로세스 공동으로의 프로세싱 챔버의 하부 가스 유동 경로를 폐쇄하는 단계, 불활성 가스를 하부 가스 유동 경로로부터 유동시키는 단계, 반응물을 실드의 개구를 통해 프로세스 공동 내로 유동시키는 단계, 및 반응 가스를 프로세스 공동으로부터 진공배기시키는 단계를 포함한다. A physical vapor deposition processing chamber is described. The processing chamber includes a target backing plate in a top portion of the processing chamber, a substrate support in a bottom portion of the processing chamber, a deposition ring positioned at an outer periphery of the substrate support and a shield. The substrate support has a support surface spaced a distance from the target backing plate to form a process cavity. The shield forms an outer bound of the process cavity. In-chamber cleaning methods are also described. In an embodiment, the method includes closing a bottom gas flow path of a processing chamber to a process cavity, flowing an inert gas from the bottom gas flow path, flowing a reactant into the process cavity through an opening in the shield, and evacuating the reaction gas from the process cavity.