SEMICONDUCTOR DEVICES

• Main Authors: UHM SANG HOON, CHO MIN HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.01.2024
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

반도체 장치는 기판 상에 형성되어, 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 각각 연장되며, 상기 기판 상면에 평행하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격된 비트 라인들; 상기 비트 라인들 상에서 상기 제2 방향으로 각각 연장되며, 상기 제1 방향으로 서로 이격된 게이트 전극들; 상기 각 게이트 전극들의 상기 제1 방향으로의 측벽에 형성된 게이트 절연 패턴; 및 상기 게이트 절연 패턴의 상기 제1 방향으로의 측벽에 형성된 채널 구조물을 포함할 수 있으며, 상기 채널 구조물은 비정질 산화물 반도체 물질을 포함하는 제1 비정질 채널, 및 상기 제1 비정질 채널의 상면에 접촉하며 결정질 산화물 반도체 물질을 포함하는 제1 결정질 채널을 포함할 수 있다. A semiconductor device includes bit lines, gate electrodes, a gate insulation pattern and a channel structure on a substrate. Each of the bit lines extends in a first direction, and the bit lines may be spaced apart from each other in a second direction. The gate electrodes are spaced apart from each other in the first direction, and each of the gate electrodes extends in the second direction.For each of the gate electrodes, a gate insulation pattern is formed on a sidewall in the first direction of the gate electrode, and a channel structure is formed on a sidewall in the first direction of the gate insulation pattern. The channel structure includes a first amorphous channel including an amorphous oxide semiconductor and a first crystalline channel including a crystalline oxide semiconductor and contacting an upper surface of the first amorphous channel.