멀티-빔 대전 입자 시스템 및 멀티-빔 대전 입자 시스템에서 작동 거리를 제어하는 방법

멀티-빔 대전 입자 시스템과, 멀티-빔 대전 입자 시스템의 작동 거리(WD)를 설정하는 방법이 제공된다. 이 방법으로, 작동 거리가 조정되는 반면, 웨이퍼 검사 작업의 이미징 성능은 미리 결정된 캘리브레이션 파라미터 값으로부터 구성요소의 파라미터 값을 계산함으로써 유지된다. 이 방법으로 인해, 멀티-빔 대전 입자 시스템의 광학 축에 평행한 고정된 z-위치를 갖는 웨이퍼 스테이지로도 고속으로 웨이퍼 검사 작업을 할 수 있다. A multi-beam charged particle system and a method of setting...

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Main Authors BIHR ULRICH, RIEDESEL CHRISTOF, THOMA ARNE, ZEIDLER DIRK, BEHNKE MICHAEL
Format Patent
LanguageKorean
Published 22.01.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
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Summary:멀티-빔 대전 입자 시스템과, 멀티-빔 대전 입자 시스템의 작동 거리(WD)를 설정하는 방법이 제공된다. 이 방법으로, 작동 거리가 조정되는 반면, 웨이퍼 검사 작업의 이미징 성능은 미리 결정된 캘리브레이션 파라미터 값으로부터 구성요소의 파라미터 값을 계산함으로써 유지된다. 이 방법으로 인해, 멀티-빔 대전 입자 시스템의 광학 축에 평행한 고정된 z-위치를 갖는 웨이퍼 스테이지로도 고속으로 웨이퍼 검사 작업을 할 수 있다. A multi-beam charged particle system and a method of setting a working distance WD of the multi beam charged particle system is provided. With the method, the working distance is adjusted while the imaging performance of a wafer inspection task is maintained by computing parameter values of components from predetermined calibration parameter values. The method allows a fast wafer inspection task even with a wafer stage with a fixed z- position parallel to an optical axis of the multi-beam charged particle system.
Bibliography:Application Number: KR20237043691