MEMORY MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD OF MEMORY

메모리의 동작 방법은, 특정 커맨드를 수신하는 단계; 상기 특정 커맨드에 응답해 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크의 선택된 로우 및 선택된 컬럼들에서 에러 체크 동작을 수행하는 단계; 및 상기 특정 커맨드에 응답해 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 나머지 메모리 뱅크들 각각의 선택된 로우의 리프레시 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. A method for operating a memory includes: receiving a predetermined command; performing an error check op...

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Main Authors LEE KYO YUN, BYEON SANG JIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 19.01.2024
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:메모리의 동작 방법은, 특정 커맨드를 수신하는 단계; 상기 특정 커맨드에 응답해 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크의 선택된 로우 및 선택된 컬럼들에서 에러 체크 동작을 수행하는 단계; 및 상기 특정 커맨드에 응답해 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 나머지 메모리 뱅크들 각각의 선택된 로우의 리프레시 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. A method for operating a memory includes: receiving a predetermined command; performing an error check operation on a selected row and selected columns of one memory bank among a plurality of memory banks in response to the predetermined command; and performing a refresh operation on a selected row of each of the other memory banks among the memory banks in response to the predetermined command.
Bibliography:Application Number: KR20220085750