막 치밀화를 위한 펄싱 플라즈마 처리

• Main Authors: TANG XIANMIN, LI RUI, XIE XIANGJIN, CHAN ANTHONY CHIH TUNG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

배리어 층을 형성하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 상에 배리어 층을 형성하는 방법은, 기판 상에 그리고 기판의 피처(feature) 내에 증착된 노출된 층을 플라즈마에 노출시키면서 기판을 지지하는 기판 지지부에 인가되는 바이어스 전력을 펄싱(pulsing)함으로써, 노출된 층을 처리하는 단계를 포함한다. 노출된 층은 원자층 증착 프로세스에 의해 증착될 수 있고, 예를 들어, 탄탈 질화물 층일 수 있다. 바이어스 전력은 약 1 Hz 내지 약 10 kHz의 펄스 주파수로 최대 500 와트의 RF 전력일 수 있다. 바이어스 전력은 균일하게 또는 다수의 상이한 레벨들로 펄싱될 수 있다. Methods and apparatus for forming a barrier layer are provided herein. In some embodiments, a method of forming a barrier layer on a substrate includes treating an exposed layer deposited on a substrate and within a feature of the substrate by pulsing a bias power applied to a substrate support supporting the substrate while exposing the layer to a plasma. The exposed layer can be deposited by an atomic layer deposition process, and can be, for example, a tantalum nitride layer. The bias power can be up to 500 watts of RF power at a pulse frequency of about 1 Hz to about 10 kHz. The bias power can be pulsed uniformly or at multiple different levels.