결정학 및 산질화물 기반 표면 안정화

소자를 제조하는 방법은, 상기 소자의 기판을 마련하고; 상기 기판에 의해 지지되며, 반도체 조성물을 가지며, 표면을 포함하며, 질소가 상기 표면에 존재하는 상기 소자의 구조물을 형성하고; 상기 표면에 산소를 혼입하여 상기 표면에 안정화 층을 형성하는 것;을 포함한다. 상기 산소를 혼입하는 것은 상기 안정화층이 균일한 분포의 산질화물 물질을 포함하도록 수행된다. A method of fabricating a device includes providing a substrate of the device, forming a structur...

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Main Authors XIAO YIXIN, ZENG GUOSONG, VANKA SRINIVAS, TOMA FRANCESCA MARIA, OGITSU TADASHI, MI ZETIAN, PHAM TUAN ANH
Format Patent
LanguageKorean
Published 16.01.2024
Subjects
APPARATUS THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES
ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTIONOF COMPOUNDS OR NON-METALS
METALLURGY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:소자를 제조하는 방법은, 상기 소자의 기판을 마련하고; 상기 기판에 의해 지지되며, 반도체 조성물을 가지며, 표면을 포함하며, 질소가 상기 표면에 존재하는 상기 소자의 구조물을 형성하고; 상기 표면에 산소를 혼입하여 상기 표면에 안정화 층을 형성하는 것;을 포함한다. 상기 산소를 혼입하는 것은 상기 안정화층이 균일한 분포의 산질화물 물질을 포함하도록 수행된다. A method of fabricating a device includes providing a substrate of the device, forming a structure of the device, the structure being supported by the substrate, having a semiconductor composition, and including a surface, where nitrogen is present at the surface, and incorporating oxygen into the surface to form a stabilizing layer on the surface. Incorporating oxygen into the surface is implemented such that the stabilizing layer includes a uniform distribution of an oxynitride material
Bibliography:Application Number: KR20237033302