SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INTERCONNECTION STRUCTURE

• Main Authors: PARK JONG HYUK, LEE YANG HEE, YOON IL YOUNG, HONG SEOK JUN, KWON BYOUNG HO, YOON BO UN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

배선 구조물을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 상의 중간 절연 구조물; 상기 중간 절연 구조물을 관통하는 중간 배선 구조물; 상기 중간 절연 구조물 및 상기 중간 배선 구조물 상의 상부 절연 구조물; 및 상기 상부 절연 구조물을 관통하며 상기 중간 배선 구조물과 전기적으로 연결되는 상부 도전성 패턴을 포함한다. 상기 중간 절연 구조물은 중간 식각 정지 층 및 상기 중간 식각 정지 층 상의 중간 절연 층을 포함하고, 상기 중간 절연 층은 제1 중간 물질 층 및 상기 제1 중간 물질 층의 상부면과 공면을 이루는 상부면을 갖는 제2 중간 물질 층을 포함하고, 상기 중간 배선 구조물은 상기 제1 중간 물질 층 및 상기 중간 식각 정지 층을 관통하고, 상기 제1 중간 물질 층의 물질은 상기 제2 중간 물질 층의 물질의 유전 상수 보다 높은 유전 상수를 갖는다. A semiconductor device includes a lower structure; an intermediate insulating structure on the lower structure; an intermediate interconnection structure penetrating through the intermediate insulating structure; an upper insulating structure on the intermediate insulating structure and the intermediate interconnection structure; and an upper conductive pattern penetrating through the upper insulating structure and electrically connected to the intermediate interconnection structure, wherein the intermediate insulating structure includes an intermediate etch-stop layer and an intermediate insulating layer thereon, the intermediate insulating layer includes first and second intermediate material layers, the second intermediate material layer having an upper surface coplanar with an upper surface of the first intermediate material layer, the intermediate interconnection structure penetrates through the first intermediate material layer and the intermediate etch-stop layer, and a material of the first intermediate material layer has a dielectric constant that is higher than a dielectric constant of a material of the second intermediate material layer.