SEMICONDUCOTR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

• Main Authors: HAYAKAWA YUKIO, LEE BONGYONG, PARK HYUNMOG, CHO SIYEON, KIM TAEYOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.01.2024
• Subjects: ELECTRICITY

반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템이 제공된다. 반도체 메모리 장치는 기판의 상면에 대해 수직하는 수직 채널; 상기 수직 채널의 제1 측에 배치되며, 상기 기판 상에 수직적으로 적층된 워드 라인들; 상기 수직 채널의 제2 측에 배치되며, 상기 기판 상에 수직적으로 적층된 백 게이트 전극들; 상기 워드 라인들과 상기 수직 채널의 상기 제1 측 사이에 배치되는 강유전체막; 상기 강유전체막과 상기 수직 채널의 상기 제1 측 사이에 배치되는 제1 중간 절연막; 및 상기 백 게이트 전극들과 상기 수직 채널의 상기 제2 측 사이에 배치되는 제2 중간 절연막을 포함할 수 있다. Disclosed are semiconductor memory devices and electronic systems including the same. The semiconductor memory device may include a vertical channel perpendicular to a top surface of a substrate, word lines disposed on a first side of the vertical channel and vertically stacked on the substrate, back-gate electrodes disposed on a second side of the vertical channel and vertically stacked on the substrate, a ferroelectric layer disposed between the word lines and the first side of the vertical channel, a first intermediate insulating layer disposed between the ferroelectric layer and the first side of the vertical channel, and a second intermediate insulating layer disposed between the back-gate electrodes and the second side of the vertical channel.