SENSE AMPLIFIER CIRCUIT MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME AND SENSING METHOD OF MEMORY DEVICE

• Main Authors: SHIN DONGHAK, LEE CHANGYOUNG, YOON HYUN CHUL, KANG KYU CHANG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.01.2024
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

센스 앰프 회로에서, 제1 트랜지스터가 제1 비트라인과 제1 노드 사이에 연결되고, 제1 인버터가 제1 노드에 연결되는 제1 입력 단자 및 제1 출력 단자를 포함하며, 제2 인버터가 제2 입력 단자 및 제2 노드에 연결되는 제2 출력 단자를 포함한다. 제2 트랜지스터가 제1 출력 단자와 제2 노드 사이에 연결되고, 제3 트랜지스터가 제2 출력 단자와 제1 노드 사이에 연결된다. 프리차지 회로가 제1 기간 동안 제1 노드와 제2 노드에 제1 전압을 전달하고, 제1 기간 동안 제1 노드와 제2 노드에 제1 전압보다 높은 제2 전압을 전달한다. In a sense amplifier circuit, a first transistor is electrically connected between a first bitline and a first node, a first inverter includes a first input terminal and a first output terminal connected to the first node, and a second inverter includes a second input terminal connected to a second node and a second output terminal. A second transistor is electrically connected between the first output terminal and the second node, and a third transistor is electrically connected between the second output terminal and the first node. A precharge circuit transfers a first voltage to the first and second nodes during a first period, and transfers a second voltage higher than the first voltage to the first and second nodes during a second period.