부식성 가스에서 금속 서브스트레이트의 에너지 절약형 열처리 장치

• Main Author: PALM JOERG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 03.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BLASTING; DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS,IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KINDOF FURNACE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FURNACES; FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; HEATING; KILNS; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS; OVENS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; RETORTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEPARATION; TRANSPORTING; WEAPONS

본 발명은 방사선장에 위치하는 프로세스 프레임을 포함하는 부식성 가스에서 금속 서브스트레이트의 에너지 절약형 열처리 장치를 포함하며, 기판은 프로세스 프레임에 삽입 체결되도록 구성되고, 상기 프로세스 프레임은 기판의 상부면 외측 가장자리를 피복하여 소형 볼륨의 프로세스 공간을 형성한다. 상기 프로세스 프레임은 기존의 프로세스 프레임의 구조를 수정한 것으로, 기판 외측 가장자리를 피복하는 방식을 통해 가장자리가 셀레늄과 접촉하지 않도록 보호하는 동시에, 가장자리와 접촉하는 칼로겐 원소를 감소시키고, 칼로겐 원소 또는 탄화수소 화합물이 챔버에 잔류하더라도 기판의 가장자리를 부식시키지 않으며, 프로세스 공간이 최소화되어 프로세스 챔버 중의 칼로겐 원소가 크게 감소되기 때문에, 기판 바닥면 상의 배리어층도 현저하게 얇아질 수 있다. An energy-saving heat treatment device for a metal substrate in a corrosive gas includes a process frame located in a radiation field. A substrate is configured to be inserted in the process frame, and the process frame covers an outer edge of an upper surface of the substrate to form a process space having a small volume. The process frame is made on the basis of the modification to the structure of the original process frame. By covering the outer edge of the substrate, the edge is protected from contact with selenium, and chalcogen elements in contact with the edge are reduced, and even residual chalcogen elements or hydrocarbons in a chamber do not corrode the edge of the substrate. Since the process space is minimized, the chalcogenide elements in the process chamber are greatly reduced, and a barrier layer on a bottom side of the substrate is significantly thinned.