축전 디바이스용 결합제 조성물, 축전 디바이스 전극용 슬러리, 축전 디바이스 전극 및 축전 디바이스

내부 저항을 저감시킴으로써 반복 충방전 특성이 우수하고, 또한, 밀착성을 향상시킴으로써 고온 하에서의 충방전 내구 특성이 우수한 축전 디바이스 전극을 제조 가능한 축전 디바이스용 결합제 조성물을 제공한다. 본 발명에 관계되는 축전 디바이스용 결합제 조성물은, 중합체(A)와, 액상 매체(B)를 함유하고, 상기 중합체(A) 중에 포함되는 반복 단위의 합계를 100질량%로 했을 때에, 상기 중합체(A)가 공액 디엔 화합물에서 유래되는 반복 단위(a1) 15 내지 60질량%와, 불포화 카르복실산에서 유래되는 반복 단위(a2) 1 내지 30...

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Main Authors NAKAYAMA TAKUYA, AZECHI MOTOHISA
Format Patent
LanguageKorean
Published 26.12.2023
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Summary:내부 저항을 저감시킴으로써 반복 충방전 특성이 우수하고, 또한, 밀착성을 향상시킴으로써 고온 하에서의 충방전 내구 특성이 우수한 축전 디바이스 전극을 제조 가능한 축전 디바이스용 결합제 조성물을 제공한다. 본 발명에 관계되는 축전 디바이스용 결합제 조성물은, 중합체(A)와, 액상 매체(B)를 함유하고, 상기 중합체(A) 중에 포함되는 반복 단위의 합계를 100질량%로 했을 때에, 상기 중합체(A)가 공액 디엔 화합물에서 유래되는 반복 단위(a1) 15 내지 60질량%와, 불포화 카르복실산에서 유래되는 반복 단위(a2) 1 내지 30질량%를 함유하고, 상기 중합체(A)의 동적 점탄성의 tanδ(손실 탄성률/저장 탄성률)의 피크 톱이, -50℃ 이상 15℃ 미만의 범위에 1개(tanδ1) 있고, 15℃ 이상 85℃ 미만의 범위에 1개(tanδ2) 있고, 85℃ 이상 150℃ 이하의 범위에 1개(tanδ3) 있다. Provided is a binder composition for an electrical storage device, which enables the production of an electrical storage device electrode excellent in repeated charge-discharge characteristic through a reduction in internal resistance and also excellent in charge-discharge durability characteristic under high temperature through an improvement in adhesiveness. The binder composition for an electrical storage device according to the present disclosure includes: a polymer (A); and a liquid medium (B), wherein, with respect to 100 mass% in total of repeating units contained in the polymer (A), the polymer (A) contains: 15 mass% to 60 mass% of a repeating unit (a1) derived from a conjugated diene compound; and 1 mass% to 30 mass% of a repeating unit (a2) derived from an unsaturated carboxylic acid, and wherein tan6 (loss elastic modulus/storage elastic modulus) in dynamic viscoelasticity of the polymer (A) has one peak top in a range of from -50°C or more to less than 15°C (tanδ1), one peak top in a range of from 15°C or more to less than 85°C (tan62), and one peak top in a range of from 85°C or more to 150°C or less (tanδ3).
Bibliography:Application Number: KR20237038659