고온 샤워헤드의 제조
예시적인 반도체 프로세싱 챔버 샤워헤드들은 내부 코어 영역을 포함한다. 내부 코어 영역은 복수의 구멍들을 정의할 수 있다. 샤워헤드들은 내부 코어 영역의 외주부 주위에 배치된 외부 코어 영역을 포함할 수 있다. 외부 코어 영역은 환형 채널을 정의할 수 있다. 샤워헤드들은 환형 채널 내에 배치된 가열 요소를 포함할 수 있다. 샤워헤드들은 외부 코어 영역의 외주부 주위에 배치된 환형 라이너를 포함할 수 있다. 내부 코어 영역 및 외부 코어 영역은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 환형 라이너는 알루미늄 합금보다 낮은 열전도도를 가질 수...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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18.12.2023
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Summary: | 예시적인 반도체 프로세싱 챔버 샤워헤드들은 내부 코어 영역을 포함한다. 내부 코어 영역은 복수의 구멍들을 정의할 수 있다. 샤워헤드들은 내부 코어 영역의 외주부 주위에 배치된 외부 코어 영역을 포함할 수 있다. 외부 코어 영역은 환형 채널을 정의할 수 있다. 샤워헤드들은 환형 채널 내에 배치된 가열 요소를 포함할 수 있다. 샤워헤드들은 외부 코어 영역의 외주부 주위에 배치된 환형 라이너를 포함할 수 있다. 내부 코어 영역 및 외부 코어 영역은 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 환형 라이너는 알루미늄 합금보다 낮은 열전도도를 가질 수 있다.
Methods of manufacturing a semiconductor processing chamber showerheads may include forming a melted aluminum alloy composition, cooling the melted aluminum alloy composition at a rate of at least 103 K/sec to form solid aluminum alloy particles, and forming a core region of a showerhead from the solid aluminum alloy particles. The core region of the showerhead may include an inner core region and an outer core region that may be coupled together. The inner core region may define a plurality of apertures. The outer core region may define a channel that receives a heating element. The methods may include coating the core region with one of aluminum or aluminum oxide and joining a peripheral edge of the outer core region with an inner edge of a metallic annular liner. The metallic annular liner may have a lower thermal conductivity than the core region of the showerhead. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237039355 |