HIGHLY ETCH SELECTIVE AMORPHOUS CARBON FILM

• Main Authors: KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, LEE KWANGDUK DOUGLAS, OSHIO HIDETAKA, WHITESELL HARRY, LEE DONG HYUNG, PRASAD RAJESH, BOBEK SARAH, MITTAL DEVEN MATTHEW RAJ
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본원에서 설명되는 구현들은 일반적으로 집적 회로들의 제작에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 기판 상의 비정질 탄소 막들의 증착을 위한 기법들을 제공한다. 일 구현에서, 비정질 탄소 막을 형성하는 방법이 제공된다. 방법은 제1 프로세싱 구역에서 서셉터 상에 포지셔닝된 하층 상에 비정질 탄소 막을 증착하는 단계를 포함한다. 방법은 제2 프로세싱 구역에서 비정질 탄소 막 내로 도펀트 또는 불활성 종을 주입하는 단계를 더 포함한다. 도펀트 또는 불활성 종은 탄소, 붕소, 질소, 실리콘, 인, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논, 또는 이들의 조합들로부터 선택된다. 방법은 도핑된 비정질 탄소 막을 패터닝하는 단계를 더 포함한다. 방법은 하층을 에칭하는 단계를 더 포함한다. Methods and techniques for deposition of amorphous carbon films on a substrate are provided. In one example, the method includes depositing an amorphous carbon film on an underlayer positioned on a susceptor in a first processing region. The method further includes implanting a dopant or the inert species into the amorphous carbon film in a second processing region. The implant species, energy, dose & temperature in some combination may be used to enhance the hardmask hardness. The method further includes patterning the doped amorphous carbon film. The method further includes etching the underlayer.