SUBSTRATE PROCESSING METHOD SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

• Main Authors: SHIMOAOKI TAKESHI, FUKUDA MASAHIRO, HASHIMOTO YUSAKU, TANAKA KOUICHIROU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.12.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

현상의 진행량이 기판 상의 위치에 따라 변동되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있는 방법, 장치 및 기록 매체를 제공한다. 기판 처리 방법은, 웨이퍼를 제1 회전수로 회전시켜, 접액면을 웨이퍼의 표면에 대향시킨 상태에서, 토출구로부터 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 웨이퍼의 표면 상에 현상액의 액막을 형성하는 것과, 웨이퍼의 표면 상에 액막이 형성된 후에, 토출구로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 웨이퍼를 회전시키는 것과, 제2 회전수로 웨이퍼를 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 웨이퍼를 회전시키는 것과, 제3 회전수로 웨이퍼를 회전시킨 후에, 웨이퍼의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 웨이퍼의 표면 상에 액막을 유지하는 것을 포함한다. A substrate processing method includes steps of: supplying a developer onto a substrate surface from a discharge port while the substrate is rotated at a first rotation speed and a liquid contact surface faces the surface, and moving the nozzle while the liquid contact surface contacts with the developer so that a liquid film of the developer is formed on the surface; rotating the substrate at a second rotation speed slower than the first rotation speed, after the liquid film is formed, in a state where supply of the developer is stopped; rotating the substrate at a third rotation speed faster than the first rotation speed, after the substrate is rotated at the second rotation speed; and reducing rotation speed of the substrate to the second rotation speed or less, after the substrate is rotated at the third rotation speed, so that the liquid film is held on the surface.